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bsm75gb120dn2供应商优质现货

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bsm75gb120dn2中文资料

  • 制造商:

    Infineon

  • 产品种类:

    IGBT 模块

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Half Bridge Module

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    1200 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.5 V

  • 在25 C的连续集电极电流:

    105 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    320 nA

  • 功率耗散:

    625 W

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装 / 箱体:

    Half Bridge1

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V

  • 安装风格:

    Screw

  • 工厂包装数量:

    500

  • 变频器配件

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BSM75GB120DLC BSM50GX120DN2 BSM50GP120 BSM50GD120DN2 BSM50GB120DN2 BSM50GB120DLC BSM50GB120 BSM400GB60DLC BSM400GA120DN2 BSM35GD120DN2

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