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24C02A/SN

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24C02A/SN相关技术应用

其它信息：

低功率CMOS工艺；硬件写保护；2线串行接口总线，I2CTM兼容；电压5.0V下运行；自定时擦/写周期；页写入缓冲区；单字节写入时间周期：1ms；多于1000000次的擦/写操作；数据保留＞200年；可用温度范围：0～＋70℃/－40～＋85℃/－40～＋125℃；组织结构：256×8；页写入缓冲区：2字节；温度范围：0～＋70℃

引脚图：
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