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SI2343CDS-T1-GE3

更新时间:2025-07-03 10:07:49

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SI2343CDS-T1-GE3 概述

SI2343CDS-T1-GE3是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET，采用双栅极结构。它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。该MOSFET的最大漏源电压（VDSS）为-20V，最大连续漏极电流（ID）在室温下为-4.9A。其典型应用包括负载开关、电源管理以及便携式设备中的DC-DC转换器。由于其紧凑的SOT-23封装，特别适合空间受限的设计需求，在手持设备如手机和平板电脑中广泛应用。使用时应注意确保栅极驱动电压足够以实现最低导通电阻，同时注意散热设计以维持器件性能。

SI2343CDS-T1-GE3 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫欧 @ 4.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
590pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
带卷 (TR)
其它名称
SI2343CDS-T1-GE3TR

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