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IXTU02N50D

更新时间:2025-07-05 03:33:59

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

IXTU02N50D
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

我要上特价
IXTU02N50D
今日特价
展示实力的机会，更是体现服务的开始！

IXTU02N50D
20000
IXYS
Single/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈

IXTU02N50D
22358
IXYS
TO251/22+
房间现货，价格优势。

IXTU02N50D
20000
MICROCHIP
SOP/2024+
13%原装

IXTU02N50D
28683
IXYS
TO251/21+
原装现货终端免费提供样品

IXTU02N50D
65000
IXYS/艾赛斯
TO251/23+
原装华强现货

IXTU02N50D
8000
IXYS
Single/2024+
原装现货，支持BOM配单

IXTU02N50D
25000
I
TO251/22+
只做原装进口现货，专注配单

IXTU02N50D
6000
INTERSIL
TO218AC/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

IXTU02N50D
82000
-
-/NEW
一级代理保证

IXTU02N50D
6500
I
TO251/23+
只做原装现货

IXTU02N50D
20000
IXYS
TO251AA/24+
原装，假一赔十

IXTU02N50D
4500
I
TO251/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

展会宣传
IXTU02N50D
540030
ST/意法
SOP8/22+
十年配单，只做原装

IXTU02N50D
6500
I
TO251/21+
原装正品

IXTU02N50D
9000
IXYS
TO2513 Short Leads IPak TO251AA/2024+
原厂渠道，现货配单

IXTU02N50D
82000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

IXTU02N50D
9860
IXYS
TO251/2025+
原装优势有货

IXTU02N50D
1459
IXYS
TO2513/2328
长期供应原装现货IXYS优势，可提供研发选型生产配套

IXTU02N50D
20000
IXYSLittelfuse
IPAK/TO251/24+
QCW/群川微完美代用进口质量国产价格

IXTU02N50D
50000
IXYS
MOSFET NCH 500V 0.2A TO251/2020+
原装现货配单

IXTU02N50D
22700
IXYS
TO251/2024
上海原装现货库存，欢迎查询

IXTU02N50D
60000
I
TO251/21+
十年配单，只做原装

IXTU02N50D
154836
INTERSIL
TO218AC/22+
终端可以免费供样，支持BOM配单

IXTU02N50D
32363
I
19+/TO251
只做原装

IXTU02N50D
8600
I
TO251/21+
现货配单，只做原装

IXTU02N50D
22314
I
TO251/20+
优势库存原装现货特价热卖

IXTU02N50D
18850
IXYS
TO251/19+
专营三极管质量保证

IXTU02N50D
28000
原厂品牌
-/-
原装部分现货量大期货

IXTU02N50D
9000
IXYS
TO2513 Short Leads IPak TO251AA/22+
原厂渠道，现货配单

IXTU02N50D
3000
IXYS
TO251/20+
原装现货，优势渠道

IXTU02N50D
22500
IXYS
TO251/16+RoHS
保证质量质优价好给你

IXTU02N50D
22100
IXYS
-/23+
BOM配单终端客户

IXTU02N50D
4895
IXYS
TO251/22+
汇融科技/价格给力/实单必成

IXTU02N50D
154836
INTERSIL
TO218AC/22+
终端可以免费供样，支持BOM配单

IXTU02N50D
15000
IXYS
TO251/21+
一级代理现货在库

IXTU02N50D
6000
I
TO251/22+
原装，提供BOM配单服务

IXTU02N50D
6000
I
TO251/22+
原装，提供BOM配单服务

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IXTU02N50D外观图

IXTU02N50D

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 500V 200MA TO-251

封装:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

IXTU02N50D 规格参数

标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
200mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
30 欧姆 @ 50mA，0V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
120pF @ 25V
功率 - 最大
1.1W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装
TO-251
包装
管件

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