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IXZ210N50L Datasheet

IC型号：
IXZ210N50L
PDF描述：
N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET
文件大小：
247.87KB
PDF页数：
9 Pages页
芯片厂家：
IXYS [IXYS Corporation]

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IXZ210N50L PDF文件相关型号

IXZ2210N50L

IXZ210N50L 产品属性

晶体管类型:
RF MOSFET
电压, Vds 最大:
500V
电流, Id 连续:
10A
功耗, Pd:
470W
工作温度范围:
-55°C 到 +175°C
封装类型:
DE275
针脚数:
6
上升时间:
4ns
功率, Pd:
470W
在电阻RDS（上）:
1ohm
封装类型:
DE-275
封装类型:
DE-275
晶体管极性:
?频道
最大功耗:
470W
电压 Vgs @ Rds on 测量:
20V
电压, Vds 典型值:
500V
电容值, Ciss 典型值:
622pF
电流, Idm 脉冲:
60A
阈值电压, Vgs th 典型值:
4.95V

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型号

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描述

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IXZ210N50L

英文版

N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET

IXZ210N50L
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N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET

IXYS [IXYS...

IXZ210N50L
IXZ2210N50...

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IXZ2210N50L
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IXZ2210N50L

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