深入解析安森美 SiC Combo JFET 技术特性与应用优势
在当今电子技术飞速发展的时代，功率器件的性能对于众多应用场景的高效运行起着关键作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较...
许多过程控制传感器，例如热敏电阻和应变计电桥，都需要精确的偏置电流。通过添加单个电流设置电阻器 R 1，您可以配置电压参考电路 IC 1 以产生恒定且精确的电流源（图 1 ...
共源JFET放大器 放大器电路由 N 沟道 JFET 组成，但该器件也可以是等效的 N 沟道耗尽型 MOSFET，因为电路图将相同，只是 FET 发生变化，以共源配置连接。 JFET栅极电压...
分类：元器件应用 时间：2024-11-12 阅读：471 关键词：共源 JFET 放大器
结型场效应晶体管 (JFET) 通常需要向栅极端子施加一些反向偏置电压。 在 HF 和 UHF 应用中，通常使用源电阻器 Rs 两端的电压提供此偏置（图 1）。 图 1：JFET 通常需...
基于 JFET 的 DC/DC 转换器采用 300mV 电源供电
您可以利用 JFET 的自偏置特性构建一个 DC/DC 转换器，该转换器由太阳能电池、热电堆和单级燃料电池等电源供电，所有这些电源的电压均低于 600 mV，有时甚至低至 300 mV。...
该图显示了在有源区域使用时具有正常偏置的共源配置 N 沟道 JFET 的标准布置和连接。这里，栅源电压 V GS等于栅极电源或输入电压 V G，它设置栅极和源极之间的反向偏置，而...
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关...
虽然 JFET 是用于低成本高输入阻抗放大器的出色器件，但它们确实存在与温度相关的增益漂移。这个问题可以通过在 -55 o C 至 125 o C 温度范围内将漏极电流设置为零漂移工作...
在许多电子电路中，总是需要设备将一个电路与另一个电路隔离或分离。这种特殊设备称为缓冲区。缓冲器是一种单位增益放大器，具有极高的输入电阻和极低的输出电阻。这意味着...
碳化硅 (SiC) JFET坚固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受额定值，而且值得注意的是，它们在每单位芯片面积的 FOM 导通电阻R DS(on) × A方面击败了所有其他技术，实现了价值...
时间：2022-12-15 阅读：421 关键词：SiC JFET
共源JFET放大器使用结型场效应晶体管作为其主要有源器件，提供高输入阻抗特性。晶体管放大器电路（例如共射极放大器）是使用双极晶体管制造的，但是小信号放大器也可以使用...
当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=β（VGS-VP）2,...
分类：模拟技术 时间：2012-07-25 阅读：2718 关键词：确定JFET特性的简单电路
（1）. 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 （2）. 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下...
分类：元器件应用 时间：2010-06-10 阅读：9291 关键词：结型场效应管（JFET）的主要参数
德州仪器(TI)宣布推出具有超低噪音与超低失真、并可限度提高音频系统质量与性能的JFET输入运算放大器产品系列，从而进一步扩大TI Burr-Brown音频产品线。OPA1641、OPA1642...
TI推出具有超低噪音与超低失真的JFET输入运算放大器产品系列
德州仪器(TI)宣布推出具有超低噪音与超低失真、并可限度提高音频系统质量与性能的JFET输入运算放大器产品系列，从而进一步扩大TI Burr-Brown音频产品线。OPA1641、OPA1642...
分类：模拟技术 时间：2010-04-30 阅读：2992 关键词：TI推出具有超低噪音与超低失真的JFET输入运算放大器产品系列放大器
美国模拟器件公司(AnalogDevices,Inc.)日前推出了最佳性能的JFET(结型场效应晶体管)输入运算放大器和一系列低功耗基准电压源。ADA4000-1与同类解决方案相比，具有最高的精密度，而且输入偏置电流降低了80%，失调电压...
分类：模拟技术 时间：2007-12-19 阅读：1976 关键词：ADI推出JFET输入运算放大器和低功耗基准电压源AD7545AD7893AD7862AD5327AD7457
