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IXTU1R4N60P

更新时间:2025-05-19 08:07:36

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IXTU1R4N60P
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终端可以免费供样，支持BOM配单

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奥利腾只做原装正品，实单价优可谈

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IPAK/TO251/2024+/25+
MOSFET单管,原装和国产替代

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isc/固电半导体
IPAK/TO251/2025+
国产品牌isc，替代进口

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IXTU1R4N60P外观图

IXTU1R4N60P

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

封装:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

IXTU1R4N60P 规格参数

标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 欧姆 @ 700mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
5.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装
TO-251
包装
管件

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