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IXTP3N100P

更新时间:2025-05-21 05:07:50

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IXTP3N100P外观图

IXTP3N100P

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220

封装:TO-220-3

IXTP3N100P 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PolarVHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1100pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220
包装
管件

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